FinFET

编辑:涕泗网互动百科 时间:2020-05-27 14:08:21
编辑 锁定
FinFET简介
FinFET称为鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。Fin是鱼鳍的意思,FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。
外文名
FinFET
发明人
胡正明
闸    长
小于25纳米
属    于
鳍式场效应晶体管

FinFET发明人

编辑
该项技术的发明人是加州大学伯克利分校胡正明(Chenming Hu)教授[1]  。胡正明教授1968年在台湾大学获电子工程学士学位,1970年和1973年在伯克利大学获得电子工程与计算机科学硕士和博士学位。现为美国工程院院士。2000年凭借FinFET获得美国国防部高级研究项目局最杰出技术成就奖(DARPA Most Outstanding Technical Accomplishment Award)。他研究的BSIM模型已成为晶体管模型的唯一国际标准,培养了100多名学生,许多学生已经成为这个领域的大牛,曾获Berkeley的最高教学奖;于2001~2004年担任台积电的CTO。
英特尔公布的FinFET的电子显微镜照片 英特尔公布的FinFET的电子显微镜照片

FinFET工作原理

编辑
闸长已可小于25纳米,未来预期可以进一步缩小至9纳米,约是人类头发宽度的1万分之1。由于在这种导体技术上的突破,未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。 FinFET源自于传统标准的晶体管—场效应晶体管 (Field-Effect Transistor;FET)的一项创新设计。在传统晶体管结构中,控制电流通过的闸门,只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开,属于平面的架构。在FinFET的架构中,闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构,可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage),也可以大幅缩短晶体管的闸长。[2] 

FinFET发展状态

编辑
在2011年初,英特尔公司推出了商业化的FinFET,使用在其22纳米节点的工艺上[3]  。从Intel Core i7-3770之后的22纳米的处理器均使用了FinFET技术。由于FinFET具有功耗低,面积小的优点,台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC)等主要半导体代工已经开始计划推出自己的FinFET晶体管,为未来的移动处理器等提供更快,更省电的处理器。从2012年起,FinFET已经开始向20纳米节点和14纳米节点推进。
参考资料
词条标签:
研究员